Физика полупроводниковых приборов, Лебедев А.И., 2008

Физика полупроводниковых приборов, Лебедев А.И., 2008.


Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения.
Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.
рекомендовано УМО по классическому университетскому образованию РФ в качестве учебного пособия для студентов ВУЗов, обучающихся по специальностям 010701 — «Физика», 010704 — «Физика конденсированного состояния вещества», 010803 — «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы*.

Физика полупроводниковых приборов, Лебедев А.И., 2008

Вольт-амперная характеристика тонкого р-n-перехода.   

 В этом разделе мы получим аналитическое выражение для  вольт-амперной  характеристики  идеального р-n-перехода, которое было выведено Шокли в 1949 году [3).
Идеальным p-n-переходом называют такой переход, для которого выполняются следующие условия:
1)  границы p-n-перехода резкие (то есть электрическое поле обращается точно в нуль на его краях);
2)  полупроводник — невырожденный (к электронам и дыркам применима статистика Больцмана);
3)   концентрация инжектированных неосновных носителей мала по сравнению с концентрацией основных носителей;
4)   процессами генерации и рекомбинации в области пространственного заряда можно пренебречь (переход является тонким, то есть толщина области пространственного заряда много меньше диффузионной длины).


ОГЛАВЛЕНИЕ.

Введение
Глава 1. Полупроводниковые диоды
Глава 2. Биполярные транзисторы
Глава 3. Тиристоры и другие многослойные структуры
Глава 4. Полевые транзисторы
Глава 5. Приборы с зарядовой связью
Глава 7. Оптоэлектронные приборы
Приложение
Список литературы
Предметный указатель




Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Физика полупроводниковых приборов, Лебедев А.И., 2008 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу



Скачать - pdf - Яндекс.Диск.

Дата публикации:





Теги: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2019-07-18 23:03:54