Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002


Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002.

  Настоящее, уже третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов.
Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач «за руку» приведут студентов к научным результатам.

Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002

Бинарные соединения.
Свойства соединений, которые образуются из элементов III и V групп периодической таблицы (таких, как GaAs), очень похожи на свойства соединений группы IV. При переходе от элементов группы IV к соединениям III-V связь становится частично ионной вследствие переноса электронного заряда от атома группы III к атому группы V. Ионность приводит к важным изменениям в свойствах полупроводников. Она увеличивает кулоновское взаимодействие между ионами, а также энергию фундаментальной щели в электронной зонной структуре. Ионность увеличивается, и ее роль еще более возрастает в соединениях II—VI, таких как ZnS. В результате у большинства полупроводниковых соединений группы II—VI ширина запрещенной зоны больше 1 эВ. Исключение составляют соединения, содержащие тяжелый элемент — ртуть (Hg).

Теллурид ртути (HgTe) по сути является полупроводником с нулевой запрещенной зоной (или полуметаллом), подобно серому олову. В то время как полупроводниковые соединения II—VI с большой шириной запрещенной зоны могут найти потенциальное применение при создании дисплеев и лазеров, полупроводниковые соединения II-VI с более узкой запрещенной зоной необходимы для изготовления инфракрасных приемников. У соединений группы I-VII (CuCl) запрещенная зона может быть еще больше (> 3 эВ) вследствие их большей ионности. Многие из них считаются скорее изоляторами, чем полупроводниками.

Возрастание энергии сцепления кристалла вследствие кулоновского взаимодействия между ионами благоприятно для образования структуры каменной соли, содержащей атомы с шестикратной координацией, а не тетраэдрические связи. Двойные соединения, образующиеся из элементов групп IV и VI, такие как сульфид свинца (PbS), РbТе и сульфид олова (SnS), тоже являются полупроводниками. Большая ионность этих соединений также благоприятствует возникновению шестикратной координации. Несмотря на свою большую ионность, они, подобно халькогенидам ртути, имеют очень узкие запрещенные зоны. Узкозонные полупроводники IV-VI применяются в качестве приемников инфракрасного излучения, тогда как GaN, широкозонное соединение группы III-V, используется для светодиодов и лазеров, излучающих в голубой области спектра [1.1].



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате и читать:

Скачать книгу Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать




Скачать книгу Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002 - djvu - depositfiles.

Скачать книгу Основы физики полупроводников, Кардона М., Петер Ю., 2002 - djvu - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 


Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2016-12-05 22:58:53