полупроводник

Введение в физику полупроводников, Фистуль В.И., 1984.

   В книге изложены основные разделы физики полупроводников; освещены важнейшие области их применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Содержание второго издания (1-е вышло в 1975 г.) переработано с учетом новых технологических приемов. Добавлены разделы физические явления в аморфных и стеклообразных полупроводниках и др.

Введение в физику полупроводников, Шалабутов Ю.К., 1969.

   В книге в доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация явлений дана прежде всего качественная, но в необходимых случаях приводятся математические выкладки и выводы основных формул.
Для того чтобы не отсылать читателя к другим источникам, автор счел целесообразным привести ряд формул без выводов.
Учитывая интересы предполагаемого читателя, автор старался, хотя бы бегло упомянуть о большинстве эффектов, с которыми приходится иметь дело в экспериментальной и инженерной практике или представляющих теоретический интерес.

Физические основы электроники, Бобылев Ю.Н., 1999.

   Рассмотрены основные вопросы физики полупроводников, описаны элементная база и современные устройства промышленной электроники, элементы импульсной и цифровой схемотехники. Приведены методики и основные расчетные соотношения для анализа работы элементов и отдельных устройств электроники, в конце каждой главы даны контрольные вопросы. В пособии приведен список современной литературы по физическим основам электроники.
Для студентов, обучающихся по специальности «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов». Может быть рекомендовано также для специальностей «Электроснабжение горного производства» и «Технология машиностроения».

Приборно-технологическое проектирование полевых полупроводниковых приборов, Быстрицкий А.В., Быкадорова Г.В., Пономарев К.Г., Ткачёв А.Ю., 2017.

Фрагмент из книги:
В данной работе рассматриваются основные принципы моделирования n-МОП-структур и методы получения их электрофизических параметров. Длина канала n-МОП-структур варьируется от 3 мкм до 6 мкм. Проект составлен в интерактивной графической оболочке SENTAURUS Workbench (SWB) (рис. 2.1). Проект выполняет физико-технологическое моделирование в модуле SProcess, оптимизацию расчётной сетки программными средствами модуля SNMesh, получение выходных и передаточных характеристик, крутизны, пробивного напряжения, сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения, расчёт и графическое представление которых осуществляется в модулях SDevice и Inspect.

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники, Старосельский В.И., 2009.

   Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры, современных приборов микроэлектроники. Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах.
Для студентов обучающихся по направлению 210100 «Электроника и микроэлектроника» (210100.62 — бакалавр, 210100.68 - магистр) и по инженерным специальностям 210104.65 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», 210108.65 «Микросистемная техника», 010803.65 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 210601.65 «Нанотехнологии в электронике». Материал книги может быть полезен также научным работникам, инженерам и аспирантам, стремящимся получить необходимые профессиональные знания.

Полупроводниковые детекторы ядерных излучений, Карапатницкий И.А., 1996.

   В данной работе проводится последовательный анализ состояния в области использования полупроводниковых датчиков излучения, начиная с принципов работы полупроводниковых детекторов, их параметров, а также методов регистрации заряженных частиц, фотонного излучения и нейтронного излучения. Рассмотрены также координатно-чувствительные полупроводниковые детекторы. Чтобы шире показать возможности современных полупроводниковых детекторов, приведены параметры ряда приборов, выпускаемых как в странах СНГ, так и ведущими фирмами дальнего зарубежья.
Материал, изложенный в монографии, может быть полезен при подготовке специалистов по полупроводниковым детекторам излучений, студентам колледжей и университетов соответствующих специальностей, а также инженерам и техникам, связанным с промышленным производством и использованием аппаратуры, содержащей полупроводниковые детекторы. Особо необходимо подчеркнуть полезность монографии для подготовки специалистов по радиологическому контролю окружающей среды.

Силовая полупроводниковая элементная база, технология производства, конструктивные решения, Фролов В. Я., Сурма А.М., Васерина К.Н., Черников А.А., 2019.

Учебное пособие соответствует содержанию государственного образовательного стандарта подготовки бакалавров (программа «Электроэнергетика и электротехника») и магистров (программа дисциплины «Силовая электроника», «Электротехника и основы электроники», «Проектирование полупроводниковых электрических аппаратов»). Отражены вопросы применения силовых полупроводниковых приборов (СПИ) в устройствах электротехники. Рассмотрено современное состояние разработок и производства силовых полупроводниковых приборов, тенденции развития элементной базы силовой электроники. Показаны технологические операции, влияющие на параметры СИП. Рассмотрены перспективы в достижении предельных параметров силовых полупроводниковых приборов. Пособие предназначено для студентов высшего профессионального образования, обучающихся по направлению подготовки «Электроэнергетика и электротехника», а также студентов, изучающих дисциплину «Электротехника и электроника». Может представлять интерес для специалистов, работающих в области полупроводниковой преобразовательной техники, силовой электроники.

Электрическая защита полупроводниковых источников питания, Китаев В.Г., Левинзон С.В., 1977.

Рассматриваются вопросы проектирования основных узлов электрической защиты полупроводниковых источников питания, перегрузочной способности элементов источников питания. Описываются способы построения н особенности расчета схем защиты н сигнализации об аварийных состояниях источников питания и нагрузки, надежность и технико-экономическая эффективность источников с устройствами защиты. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой источников электропитания, будет полезна студентам электротехнических институтов связи и радиотехнических факультетов.