Физика и моделирование нанотранзисторов, Кругляк Ю.А., 2018

Физика и моделирование нанотранзисторов, Кругляк Ю.А., 2018.

Книга посвящена физике и моделированию полевых транзисторов с акцентом на короткоканальные микро- и современные нанотранзисторы типа МДП-транзистора с изолированным затвором MOSFET, полевого транзистора с высокой подвижностью электронов III-V НЕМТ, транзисторов на чрезвычайно тонкой КНИ-подложке ETSOI. в том числе с затворами DG и GAA, с каналами NW и CNT. транзисторов FinFET. однако, развитые подходы применимы и к транзисторам типа JFET, MESFET, BJT и им подобным. Рассматривается физическое устройство, метрика и управление FET, теория MOSFET дается сначала в традиционном изложении, затем формулируются начала модели виртуального истока, приближение истощения на фоне уравнение Пуассона, обсуждается подвижный электронный заряд в массивной структуре MOS и в исключительно тонкой SOI, из 2D электростатики MOS подробно рассматриваются DIBL, геометрическое экранирование, емкостная модель, масштабирование транзисторов, их пробой.

Физика и моделирование нанотранзисторов, Кругляк Ю.А., 2018


Устройство, метрика и управление MOSFET.
Изобретение транзистора считают важнейшим открытием 20 века. Транзисторы используются в электронной схеме практического любого электронного прибора. Миллиарды транзисторов содержатся в наших смартфонах и планшетах, в настольных компьютерах и суперкомпьютерах, во всех разнообразных гаджетах, без которых мы уже не можем представить себе 21 век. Нанотранзистор представляет большой интерес и сам по себе (рис. 1). Электроны в MOSFET движутся от истока S по проводящему каналу и выходят из стока D. Соответствующий ток D I контролируется затвором G, изолированным от канала проводимости диэлектрической прослойкой толщиной уже менее 2 нм. Если длина канала проводимости к концу второго тысячелетия составляла около 100 нм, то сегодня – уже приближается к 10 нм. Функционирование MOSFET интересно с познавательной точки зрения. Такое электронное устройство как MOSFET полезно в качестве элемента в различных электронных схемах. Они могут выполнять роль цифрового коммутатора (ON/OFF) или, например, аналогового усилителя входных сигналов.

Содержание.
Глава 1. Устройство, метрика и управление MOSFET.
Глава 2. Теория MOSFET в традиционном изложении, начала модели виртуального истока и приближение истощения.
Глава 3. Напряжение на затворе и поверхностный потенциал, подвижный электронный заряд в массивной структуре MOS и в исключительно тонкой SOI.
Глава 4. 2D электростатика MOS и модель виртуального истока.
Глава 5. Транспортная модель Ландауэра – Датта – Лундстрома и баллистические MOSFET.
Глава 6. Баллистическая скорость впрыскивания и объединение баллистической модели с моделью виртуального истока.
Глава 7. Рассеяние электронов и модель прохождения MOSFET.
Глава 8. Объединение модели прохождения и модели виртуального истока: модель MVS-прохождения.
Глава 9. Фундаментальные пределы и ограничения.
Глава 10. Полевой транзистор с позиций наноэлектроники «снизу – вверх».



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате, смотреть и читать:
Скачать книгу Физика и моделирование нанотранзисторов, Кругляк Ю.А., 2018 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России.Купить эту книгу



Скачать - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 

Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2019-06-19 10:18:34