покрытия

Технология гальванических, электролитических и декоративных покрытий, Сабеев. К.Г., 2014

Технология гальванических, электролитических и декоративных покрытий, Сабеев. К.Г., 2014.

ГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ОТСУТСТВИИ ПОСТОРОННЕГО ИСТОЧНИКА ТОКА.
Осмотическая теория
Поместим пластинку какого-нибудь металла в электролит. Он будет стремиться отдать свои атомы в виде ионов в раствор (создавая давление растворения Р), а ионы металла ванны, наоборот, будут стараться осесть на поверхности погруженной металлической пластинки и дополниться до атомов (вызывая осмотическое давление р). Таким образом, при погружении пластинки на границе поверхности металл - раствор возникает разность электрических зарядов. От электрического напряжения соответствующего металла будет зависеть перевесит ли осмотическое давление раствора. На рис. 2 изображена сравнительная диаграмма электрохимического ряда напряжений важнейших металлов. Разность напряжений атом/ион измеряется относительно водорода, анодное напряжение которого равно 0,00 В. Приведенные величины относятся всегда к атомам металла, а не к ионам ванны.
ТЕХНОЛОГИЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ И ДЕКОРАТИВНЫХ ПОКРЫТИЙ Сабеев. К.Г., 2014
Скачать и читать Технология гальванических, электролитических и декоративных покрытий, Сабеев. К.Г., 2014