Химико-технологические основы микро- и наноэлектроники, Величко А.А., 2023.
Рассматриваются история и технологические основы электроники, свойства химических элементов и их соединений, основные технологические процессы микро- и наноэлектроники, основные виды нанотехнологий и их изделий, а также нанотехнологическое оборудование.
Для студентов всех форм обучения по направлениям: 11.03.01 «Радиоэлектроника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», а также учащихся колледжей электронного и радиотехнического профилей.
наноэлектроника
Химико-технологические основы микро- и наноэлектроники, Величко А.А., 2023
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Химико-технологические основы микро- и наноэлектроники, Величко А.А., 2023Физические основы микро- и наноэлектроники, Методические указания по выполнению лабораторных работ, Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В., 2020
Физические основы микро- и наноэлектроники, Методические указания по выполнению лабораторных работ, Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В., 2020.
Методические указания содержат краткие теоретические сведения, методику проведения лабораторных работ и примеры расчетных заданий в рамках программы дисциплины «Физические основы микро- и наноэлектроники».
Предназначено для студентов бакалавриата, обучающихся по направлению 11.03.03 «Конструирование и технология РЭС».
Скачать и читать Физические основы микро- и наноэлектроники, Методические указания по выполнению лабораторных работ, Васильев Е.В., Раевский Г.П., Попова Т.А., Черноверская В.В., 2020Методические указания содержат краткие теоретические сведения, методику проведения лабораторных работ и примеры расчетных заданий в рамках программы дисциплины «Физические основы микро- и наноэлектроники».
Предназначено для студентов бакалавриата, обучающихся по направлению 11.03.03 «Конструирование и технология РЭС».
Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, Кузнецов Ф.А., 2013
Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, Кузнецов Ф.А., 2013.
В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости.
Скачать и читать Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, Кузнецов Ф.А., 2013В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Си, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости.
Микросистемные датчики физических величин, монография в двух частях, Вавилов В.Д., Тимошенков С.П., Тимошенков А.С., 2018
Микросистемные датчики физических величин, Монография в двух частях, Вавилов В.Д., Тимошенков С.П., Тимошенков А.С., 2018.
В книге изложены современные принципы построения, методы расчета и проектирования микро системных датчиков физических величин и измерительных систем на их основе. Приведены примеры разработок новых изделий. Направления «Электроника и наноэлектроника». «Радиотехника», «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информатика и вычислительная техника». «Конструирование и технология электронных средств» предназначены для студентов. Также книга может быть полезной студентам смежных специальностей, аспирантам, инженерам и научным работникам, связанным с созданием первичных приборов информации на интегральных принципах.
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Микросистемные датчики физических величин, монография в двух частях, Вавилов В.Д., Тимошенков С.П., Тимошенков А.С., 2018В книге изложены современные принципы построения, методы расчета и проектирования микро системных датчиков физических величин и измерительных систем на их основе. Приведены примеры разработок новых изделий. Направления «Электроника и наноэлектроника». «Радиотехника», «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Информатика и вычислительная техника». «Конструирование и технология электронных средств» предназначены для студентов. Также книга может быть полезной студентам смежных специальностей, аспирантам, инженерам и научным работникам, связанным с созданием первичных приборов информации на интегральных принципах.
Современные устройства и элементы наноэлектроники, Бунтов В.В., Вохминдев А.С., Штанг Т.В., 2020
Современные устройства и элементы наноэлектроники, Бунтов В.В., Вохминдев А.С., Штанг Т.В., 2020.
В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия.
Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Современные устройства и элементы наноэлектроники, Бунтов В.В., Вохминдев А.С., Штанг Т.В., 2020В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия.
Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.
Физико-технологические основы макро-, микро, и наноэлектроники, Барыбин А.А., Томилин В.И., Шаповалов В.И., 2011
Физико-технологические основы макро-, микро, и наноэлектроники, Барыбин А.А., Томилин В.И., Шаповалов В.И., 2011.
Настоящая книга является существенно переработанным и дополненным вариантом ранее изданного учебного пособия), написанного по материалам курса лекций, читаемого двумя соавторами (А.А. Б. и В.И.Ш.) в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете (бывшем ЛЭТИ) для студентов факультета электроники. В книге также частично использованы материалы лекционного курса, читаемого третьим соавтором (В.И.Т.) в Сибирском федеральном университете (бывшем КГТУ) и изданного как учебное пособие).
Книга предназначена главным образом для студентов в качестве учебного пособия по физико-технологическим основам макроэлектроники, микроэлектроники и наноэлектроники. Она может оказаться полезной также и специалистам в этих областях, поскольку содержит некоторые вопросы, выходящие за рамки учебной дисциплины, которые могут быть опущены студентами (например, пп. 1.19-1.24, 2.20, 2.21, 4.14-4.17).
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Физико-технологические основы макро-, микро, и наноэлектроники, Барыбин А.А., Томилин В.И., Шаповалов В.И., 2011Настоящая книга является существенно переработанным и дополненным вариантом ранее изданного учебного пособия), написанного по материалам курса лекций, читаемого двумя соавторами (А.А. Б. и В.И.Ш.) в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете (бывшем ЛЭТИ) для студентов факультета электроники. В книге также частично использованы материалы лекционного курса, читаемого третьим соавтором (В.И.Т.) в Сибирском федеральном университете (бывшем КГТУ) и изданного как учебное пособие).
Книга предназначена главным образом для студентов в качестве учебного пособия по физико-технологическим основам макроэлектроники, микроэлектроники и наноэлектроники. Она может оказаться полезной также и специалистам в этих областях, поскольку содержит некоторые вопросы, выходящие за рамки учебной дисциплины, которые могут быть опущены студентами (например, пп. 1.19-1.24, 2.20, 2.21, 4.14-4.17).
Физические основы микро- и наноэлектроники, Дурнаков А.А., 2020
Физические основы микро- и наноэлектроники, Дурнаков А.А., 2020.
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние р-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных р-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Физические основы микро- и наноэлектроники, Дурнаков А.А., 2020Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние р-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных р-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2020
Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2020.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».
Купить бумажную или электронную книгу и скачать и читать Физические основы кремниевой наноэлектроники, Зебрев Г.И., 2020Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».
Другие статьи...
- Основы нано- и функциональной электроники, Смирнов Ю.А., Соколов С.В., Титов Е.В., 2013
- Наноэлектроника, элементы, приборы, устройства, Шишкин Г.Г., Агеев И.М., 2015
- Современные проблемы микро- и наноэлектроники, учебное пособие, Шелованова Г.Н., 2017
- Основы математического моделирования, учебное пособие, Звонарев С.В., 2019
наноэлектроника
Предыдущая
Следующая
Показана страница 1 из 2