Процессы микро- и нанотехнологии, Данилина Т.И., Смирнова К.И., Илюшин В.А., Величко А.А., 2004


Процессы микро- и нанотехнологии, Данилина Т.И., Смирнова К.И., Илюшин В.А., Величко А.А., 2004.

  Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических схемах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. Отсюда особо важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов.

Процессы микро- и нанотехнологии, Данилина Т.И., Смирнова К.И., Илюшин В.А., Величко А.А., 2004


Фотолитография.
Получение рельефа требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек, является неотъемлемым процессом технологии изготовления интегральных схем (ИС). Он получил название литографии. Литография основана на использовании особых высокомолекулярных соединений - резистов, обладающих способностью изменять свои свойства под действием различного рода излучений - ультрафиолетового (фотолитография), рентгеновского (рентге-нолитография). потока электронов (электронолитография) и ионов (ионно-лучевая литография).

Фотолитография состоит в следующем. Чувствительные к свету соединения фоторезисты (ФР) наносятся на поверхность подложки и подвергаются воздействию излучения (экспонируются). Использование специальной стеклянной маски с прозрачными и непрозрачными полями фотошаблона (ФШ) приводит к локальному воздействию излучения на ФР и. следовательно, к локальному изменению его свойств. При последующем воздействии определенных химикатов происходит удаление с подложки отдельных участков пленки ФР. освещенных или неосвещенных в зависимости от типа ФР (проявление). Создается защитная маска с рисунком, повторяющим рисунок фотошаблона. Резисты могут быть как негативными, так и позитивными. После воздействия экспонирующего облучения растворимость негативных резистов в проявителе уменьшается, а позитивных увеличивается (рис.2.1).

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Получение рисунка интегральных микросхем
2.1. Фотолитография
2.2. Способы экспонирования
2.3. Фотошаблоны и технология их получения
2.4. Оптические эффекты при фотолитографии
2.5. Методы и технология формирования рисунка тонкопленочных элементов
3. Перспективные методы литографии
3.1. Электронно-лучевая литография
3.2. Рентгеновская литография  
3.3. Ионная литография  
4. Технологические основы пленочной микроэлектроники
4.1. Термическое испарение в вакууме
4.1.1. Вакуумные напылительные установки
4.1.2. Формирование молекулярного потока
4.1.3. Испарение вещества
4.1.4. Скорость конденсации
4.1.5. Механизм испарения соединений и сплавов
4.1.6. Степень загрязнения пленок при конденсации
4.1.7. Способы испарения
4.1.8. Практические рекомендации
4.2. Ионно-плазменное распыление
4.2.1. Физика ионного распыления
4.2.2. Модель ионного распыления
4.2.3. Теории ионного распыления
4.2.4. Скорость осаждения пленок
4.2.5. Получение пленок ионно-плазменным распылением
5. Элементы тонкопленочных ИМС
5.1. Подложки пленочных ИМС
5.1.1. Материалы подложек
5.1.2. Свойства подложечных материалов
5.1.3. Очистка подложек
5.2. Тонкопленочные резисторы
5.2.1. Выбор материалов
5.2.2. Технологические погрешности резисторов
5.3. Тонкопленочные конденсаторы
5.3.1. Параметры тонкопленочных конденсаторов
5.3.2. Диэлектрические материалы
5.3.3. Выбор материала обкладок
5.4. Тонкопленочные индуктивности
5.5. Проводники н контактные площадки
6. Типовые технологические процессы изготовления тонкопленочных ИМС
7. Конструктивно-технологические особенности и элементы полупроводниковых ИМС
7.1. Структуры элементов полупроводниковых ИМС
7.2. Выбор материала подложек полупроводниковых ИМС
7.3. Технологические особенности изготовления полупроводниковых ИМС
8. Легирование полупроводников
8.1. Легирование полупроводников диффузией
8.2. Расчет режимов диффузии
8.3. Расчет профилей распределения примесей при диффузии
8.4. Технология получения диффузионных р - n переходов
8.5. Контроль параметров диффузионных слоев  
8.6. Технологические погрешности диффузионных элементов
9. Ионное легирование полупроводников
9.1. Технологические особенности ионного легирования
9.2. Расчет пробегов ионов в твердых телах
9.3. Распределение внедренной примеси по глубине
9.4. Радиационные дефекты при имплантации
9.5. Легирующие свойства имплантированных примесей в арсениде галлия
9.5.1. Формирование ионно-легированных слоев в арсениде галлия  
9.5.2. Влияние радиационных дефектов на электрические свойства арсенида галлия
9.6. Области применения ионного легирования
10. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев химическим осаждением из газовой фазы
11. Технология получения диэлектрических пленок
11.1. Диэлектрические слои для полупроводниковых ИМС
11.2. Термическое окисление кремния
11.3. Химическое осаждение диэлектрических пленок
12. Металлизация полупроводниковых структур
13. Типовые технологические процессы изготовления полупроводниковых ИМС
13.1. Классификация процессов
13.2. Изготовление биполярных ИМС с изоляцией р - n переходом
13.3. Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией  
13.4. Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией  
13.5. Изготовление МДП ИС
Заключение
Литература.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате и читать:

Скачать книгу Процессы микро- и нанотехнологии, Данилина Т.И., Смирнова К.И., Илюшин В.А., Величко А.А., 2004 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать




Скачать - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 


Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2016-12-04 23:30:18