Технология кремниевой наноэлектроники, Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В., 2011


Технология кремниевой наноэлектроники, Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В., 2011.

  В учебное пособие включено описание новых технологических процессов, которые составляют основу современного производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других устройств кремниевой наноэлектроники. К таким процессам относятся субмикронная литография, ионное легирование, быстрый термический отжиг, ионное и плазмохимическое травление наноструктур, атомно-слоевое и ионно-плазменное осаждение металлов и диэлектриков, химико-механическая планаризация. Изложены технологические маршруты формирования СБИС.
Пособие предназначено для слушателей программы переподготовки в области промышленного производства наногетероструктурных монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона и дискретных полупроводниковых приборов, а также может быть использовано при подготовке студентов, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», «Нанотехнология», «Нанотехнология и микросистемная техника».

Технология кремниевой наноэлектроники, Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В., 2011

Закон Мура и другие тенденции.
Одна из основных тенденций развития микроэлектронной промышленности быта впервые сформулирована ещё в 1965 г. сотрудником компании Intel Гордоном Муром (Gordon Moore). На основе анализа имевшихся в его распоряжении данных он констатировал, что количество транзисторов в ИС за год увеличивается примерно в два раза. Эта формулировка получила названия закона Мура. В несколько изменённой форме закон Мура н сегодня определяет развитие микроэлектроники. а IТRS составляется таким образом, чтобы отвечать его положениям.

На рис. 2.1 приведены зависимости количества транзисторов на одном кристалле от года изготовления ИС. Видно, что до 1970 г. закон Мура исполнялся в точности так. как его сформулировал автор. Однако затем произошло снижение темпов интеграции и в настоящее время закон Мура обычно формулируют в следующем виде: «Количество транзисторов на кристалле удваивается каждые 1.5-2 года». Данные, приведённые на рис. 2.1. свидетельствуют о том. что интеграция схем памяти происходит с несколько большими темпами, чем развитие микропроцессорных ИС. Прогноз на будущее предполагает возможность некоторого снижения темпов интеграции ИС памяти, что связано с трудностями, возникающими при масштабировании.

ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Введение
2. Тенденции развития современной технологии микроэлектроники
2.1. Международная технологическая дорожная карта для полупроводникового производства
2.2. Закон Мура и другие тенденции
3. Технологические среды
3.1. Чистые производственные помещения
3.2. Жидкие химические и газообразные среды
3.2.1. Очистка газов
3.2.2. Очистка воды
3.2.3. Газовые разряды
4. Геттерирование. очистка и пассивация поверхности полупроводниковых подложек
4.1. Геттерирование
4.2. Реальная поверхность полупроводников
4.3. Очистка криогенными аэрозолями
4.4. Механизм очистки с помощью сверхкритических жидкостей (СКЖ)
4.5. Сухие методы очистки
4.6. Пассивация поверхности
5. Субмикронная литография
5.1. Основные понятия и тенденции
5.2. Иммерсионная литография КУФ-диапазона
5.3. Литография ЭУФ-диапазона
5.4. Импринтинг
5.5. Электронная литография
5.6. Технология электронно-лучевой литографии
5.7. Ионная литография
5.8. Рентгеновская литография
6. Ионное легирование полупроводников
6.1. Технология ионного легирования
6.2. Взаимодействие ионов с твердым телом
6.3. Распределение внедренной примеси по глубине
6.4. Радиационные дефекты при ионном легировании
6.5. Области применения ионного легирования
7. Быстрый термический отжиг
7.1. История развития импульсного отжига
7.2. Методы и оборудование быстрого термического отжига
7.3. Быстрый отжиг ионно-легированных слоев
7.4. Быстрые термические обработки при формировании плёнок силицидов металлов, а также плёнок термического оксида кремния или оксинитрида кремния
7.5. Новые методы импульсного отжига
8. Травление микро- и наноструктур
8.1. Классификация методов травления
8.2. Жидкостное химическое травление
8.3. Физика ионного травления
8.4. Разрешающая способность ионно-лучевого травления
Маска
Подложка
8.5. Выбор и обработка маскирующих материалов при ионном травлении
8.6. Модель процесса травления материалов энергетическими и химически активными частицами
8.7. Методы плазменного травления
8.8. Устройства для реализации плазмохимического травления
9. Осаждение металлов и диэлектриков
9.1. Атомно-слоевое химическое осаждение из газовой фазы
9.2. Ионное и ионно-плазменное осаждение тонких пленок в технологии интегральных схем
9.2.1. Общая характеристика
9.2.2. Стимулированное плазмой осаждение тонких слоев диоксида кремния
9.2.3. Плазмохимическое осаждение нитрида кремния
9.2.4. Ионно-плазменное нанесение тонких пленок нитрида алюминия
9.2.5. Плазмохимическое осаждение кремния
9.2.6. Стимулированное плазмой осаждение металлов
9.2.7. Ионно-стимулированное, ионно-лучевое напыление тонких пленок
10. Планаризация рельефа
10.1. Основные понятия и тенденции развития
10.2. Оборудование химико-механической планаризации
10.3. Технология химико-механической планаризации
11. Формирование транзисторов в приповерхностных слоях кремния (FEOL)
11.1. Основные понятия и тенденции развития
11.2. Инженерия канала транзистора
11.3. Инженерия затвора транзистора
11.4. Технологический маршрут FEOL
12. Формирование межэлементных соединении и межуровневой разводки (ВЕОL)
12.1. Основные понятия и тенденции развития
12.2. Инженерия межуровневого диэлектрика
12.3. Инженерия межуровневой разводки
12.4. Технологический маршрут ВЕОL
Заключение
Список рекомендуемой литературы.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате и читать:

Скачать книгу Технология кремниевой наноэлектроники, Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В., 2011 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать




Скачать книгу Технология кремниевой наноэлектроники, Данилина Т.И., Кагадей В.А., Анищенко Е.В., 2011 - pdf - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 


Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2016-12-10 23:28:10