Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011


Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011.

  В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субми-кронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических ВУЗов.

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011

Ток стока короткоканального транзистора.
Длинноканальная модель тока стока МОПТ не является адекватной для короткоканальных приборов. Для обеспечения адекватности их описания необходимо учитывать следующие факторы: деградацию подвижности носителей при воздействии сильного вертикального поля; насыщение скорости носителей; влияние объемного заряда стока; неравномерное легирование канала; последовательное сопротивление истока и стока; емкость инверсионного слоя; эффекты горячих носителей.

Наиболее сильное влияние на величину тока стока оказывают первые четыре фактора. Последовательное сопротивление сток-истоковых областей играет значимую роль в МОПТ с длиной канала < 0,25 мкм. Эффекты горячих носителей являются обязательным предметом исследований при масштабировании субмикронных приборов.



Бесплатно скачать электронную книгу в удобном формате и читать:

Скачать книгу Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011 - fileskachat.com, быстрое и бесплатное скачивание.

Скачать




Скачать книгу Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов, Красников Г.Я., 2011 - djvu - Яндекс.Диск.
Дата публикации:





Теги: :: :: ::


Следующие учебники и книги:
Предыдущие статьи:


 


 


Книги, учебники, обучение по разделам




Не нашёл? Найди:





2016-12-08 23:16:43